| 駿佳科技有限公司Junjia Tech Corp.
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    |  | 電漿輔助化學氣相沉積 Model: PECVD-Clip Series | 
  
    | Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) | 
  
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        | 規格: |  
        | 一. | 綜合說明: | 腔體上蓋板上掀式設計,手動放置晶片,無Load Lock。 晶片尺寸: 8〞或8〞以下。
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        | 二. | 機台規格: |  |  
        |  | 1. 腔體 | 鋁合金一體銑製成形無銲道,表面特殊陽極處理,以防止腐蝕。 腔體尺寸360x360mm;內徑 300mm。
 (選項)--腔體可加循環水道,將腔體溫度控制在30~45°C,以防止開腔體時,濕氣沈積,污染腔體內壁。
 
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        |  | 2. 上電極 | 上電極即為氣體導流板(Shower   Head)。 氣體導流板有上千小孔,以確保氣流均勻流入腔體;並具有冷卻水道以控制溫度。
 氣體導流板聯接射頻(RF)電源。
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        | 3. 電漿源 | RF Generator 13.56MHz, 600W 自動匹配器。
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        | 4. 晶片加熱載台 | 鋁材質製造, 內埋有電阻管加熱;配合PID溫控器,溫度可達400°C。均勻度<2%。 |  
        |  | 5. 真空系統 | Turbo pump: Pumping speed>500L/sec,可快速將腔體壓力 (Base Pressure)抽到至10-6Torr低壓,並趕走腔體內殘存氣體,但不用在製程上。 Dry pump:   Pumping speed >20L/sec
 自動調壓閥(APC),可自動將製程壓力控制在 500~10000   mTorr
 Ion gauge x1, Baratron Gauge x1, Pirani Gauge   x2
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        |  | 6.供氣系統 | 質量流量控制器(MFC): SiH4/NH3/H2/N2O/CF4....等,0~200sccm;依客戶製程需求。 腐蝕性氣體有氮氣purge
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        |  | 7.控制系統 | PC控制介面,在顯示器上,可做全部的手動操作,可執行全自動操作。 |  
        | 三. | 鍍膜規格 | Nitride 及Oxide   film,鍍膜速度為500A°/min以上,均勻度為±5% |  
        | 四. | 機台尺寸 | 寬800x深1060x高1900mm |  | 
  
    | 規格可依客戶需求調整 |  |  | 
  
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