駿佳科技有限公司
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電漿輔助化學氣相沉積 Model: PECVD-Clip Series
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
規格:
一. 綜合說明: 腔體上蓋板上掀式設計,手動放置晶片,無Load Lock。
晶片尺寸: 8〞8〞以下。
二. 機台規格:  
  1. 腔體 鋁合金一體銑製成形無銲道,表面特殊陽極處理,以防止腐蝕。
腔體尺寸360x360mm;內徑 300mm。
(選項)--腔體可加循環水道,將腔體溫度控制在30~45°C,以防止開腔體時,濕氣沈積,污染腔體內壁。


  2. 上電極 上電極即為氣體導流板(Shower Head)
氣體導流板有上千小孔,以確保氣流均勻流入腔體;並具有冷卻水道以控制溫度。
氣體導流板聯接射頻
(RF)電源。
3. 電漿源 RF Generator 13.56MHz, 600W
自動匹配器。
4. 晶片加熱載台 鋁材質製造, 內埋有電阻管加熱;配合PID溫控器,溫度可達400°C。均勻度<2%
5. 真空系統

Turbo pump: Pumping speed>500L/sec,可快速將腔體壓力 (Base Pressure)抽到至10-6Torr低壓,並趕走腔體內殘存氣體,但不用在製程上。
Dry pump: Pumping speed >20L/sec
自動調壓閥(APC),可自動將製程壓力控制在 500~10000 mTorr
Ion gauge x1, Baratron Gauge x1, Pirani Gauge x2

6.供氣系統 質量流量控制器(MFC): SiH4/NH3/H2/N2O/CF4....等,0~200sccm;依客戶製程需求。
腐蝕性氣體有氮氣purge
7.控制系統 PC控制介面,在顯示器上,可做全部的手動操作,可執行全自動操作。
三. 鍍膜規格 NitrideOxide film,鍍膜速度為500A°/min以上,均勻度為±5%
四. 機台尺寸 800x1060x1900mm
規格可依客戶需求調整    
     
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